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科研机构
半导体研究所 [32]
内容类型
专利 [23]
期刊论文 [9]
发表日期
2006 [5]
2005 [1]
2004 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [32]
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学科主题:半导体材料
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带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:
赵强
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220
作者:
潘教青
;
王圩
;
朱洪亮
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/11/23
用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1259-1263
作者:
王圩
;
潘教青
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 261-266
作者:
王圩
;
潘教青
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 6, 页码: 2982-2985
作者:
潘教青
;
王圩
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1616-1618
作者:
朱洪亮
;
王圩
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/23
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305
作者:
徐波
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1652-1657
作者:
王晓峰
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
高质量立方相InGaN的生长
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 548
作者:
王玉田
;
赵德刚
;
张书明
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/23
消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
刘兴昉
;
刘斌
;
刘胜北
;
闫果果
;
王雷
;
赵万顺
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/09/22
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