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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/10/29 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2014/10/24 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/10/28 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/10/29 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/31