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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/29 photoluminescence   Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：105/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  QUANTUM DOTS  SURFACE-MORPHOLOGY  LOW-THRESHOLD  INP  INP(001)  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  ISLANDS  LAYER   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER   Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 rapid thermal annealing  InGaAs/GaAs  quantum dots  molecular beam epitaxy  LUMINESCENCE  FABRICATION  GAAS(100)  INTERFACE  LASER  LAYER   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  molecular beam epitaxy  photoluminescence  LINE-SHAPE   Room temperature 1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  InAs/InP  INP  ISLANDS  GAAS  MATRIX   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS   1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 243 作者:  徐波;  韩勤;  陈涌海;  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23