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半导体研究所 [20]
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学科主题
半导体材料 [20]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures
期刊论文
acs nano., 2016, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 3852−3858
Kenan Zhang
;
Tianning Zhang
;
Guanghui Cheng
;
Tianxin Li
;
Shuxia Wang
;
Wei Wei
;
Xiaohao Zhou
;
Weiwei Yu
;
Yan Sun
;
Peng Wang
;
Dong Zhang
;
Changgan Zeng
;
Xingjun Wang
;
Weida Hu
;
Hong Jin Fan
;
Guozhen Shen
;
Xin Chen
;
Xiangfeng Duan
;
Kai Chang
;
Ning Dai
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/03/10
Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres
期刊论文
materials letters, 2012, 卷号: 68, 页码: 327-330
Wei, TB
;
Chen, Y
;
Hu, Q
;
Yang, JK
;
Huo, ZQ
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Liao, YX
;
Yin, FT
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011
Hu, Qiang
;
Wei, Tongbo
;
Duan, Ruifei
;
Yang, Jiankun
;
Huo, Ziqiang
;
Zeng, Yiping
;
Xu, Shu
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2012/06/14
Carrier concentration
Etching
Gallium alloys
Optical properties
Point defects
Raman spectroscopy
Semiconducting gallium compounds
Vapor phase epitaxy
Vapors
Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Duan RF
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浏览/下载:58/10
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提交时间:2011/07/05
GaN
HVPE
freestanding thick films
stress release
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
PRESSURE
HVPE
Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:292/52
  |  
提交时间:2010/06/18
atomic force microscopy
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
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浏览/下载:84/6
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提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:76/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Duan RF
;
Wei TB
收藏
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浏览/下载:298/42
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提交时间:2010/03/08
GaN
HVPE
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
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