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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：134/15  |  提交时间：2010/03/29 Monte Carlo simulation   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Self-assembled InAs quantum wires on InP(001) 会议论文 11th international semiconducting and insulating materials conference (simc-xi), canberra, australia, jul 03-07, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 SHORT-PERIOD SUPERLATTICES  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  STATE   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS