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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2008 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
会议论文
16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/07/26
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3rd international photonics and optoelectronics meetings, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2010
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2011/07/26
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
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