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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4
会议论文
2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997
Duan SK
;
Teng XG
;
Wang YT
;
Li GH
;
Jiang HX
;
Han P
;
Lu DC
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提交时间:2010/11/15
GaN
MgAl2O4
MOVPE
LED
DIODES
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