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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/08/30 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2016/09/12 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2014/10/24 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/12/25 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/10/28 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/10/29 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/11/05 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/10/29 一种测量LED内量子效率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/11/05