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半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
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2014 [1]
2013 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2000 [1]
1999 [1]
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学科主题:半导体器件
专题:半导体研究所
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Finite difference method for analyzing band structure in semiconductor heterostructures without spurious solutions
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 17, 页码: 173702
Yu Jiang (江宇)
;
Xunpeng Ma (马勋鹏)
;
Yun Xu (徐云)
;
Guofeng Song (宋国峰)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2015/03/16
Reduction of Efficiency Droop and Modification of Polarization Fields of InGaN-Based Green Light-Emitting Diodes via Mg-Doping in the Barriers
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 087101
ZHANG Ning, LIU Zhe, SI Zhao, REN Peng, WANG Xiao-Dong, FENG Xiang-Xu, DONG Peng, DU Cheng-Xiao, ZHU Shao-Xin, FU Bing-Lei, LU Hong-Xi, LI Jin-Min, WANG Jun-Xi
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/04/09
A Photovoltaic InAs Quantum-Dot Infrared Photodetector
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: art. no. 047801
Tang GH (Tang Guang-Hua)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Jiang
;
LW (Jiang Li-Wen)
;
Kong JX (Kong Jin-Xia)
;
Kong
;
N (Kong Ning)
;
Liang DC (Liang De-Chun)
;
Liang P (Liang Ping)
;
Ye XL (Ye Xiao-Ling)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:271/36
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提交时间:2010/04/28
MU-M
TEMPERATURE
DETECTORS
OPERATION
SHORT PERIOD InAs/GaSb SUPERLATTICE INFRARED DETECTOR ON GaAs SUBSTRATES
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-+
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2010/03/08
superlattice
InAs/GaSb infrared detector
molecular-beam epitaxy (MBE)
spectral response
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
期刊论文
光电子·激光, 2000, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4
作者:
陈良惠
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/11/23
High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers
期刊论文
chinese journal of lasers, 1999, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 397
作者:
Chen Lianghui
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提交时间:2010/11/23
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