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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2013 [1]
2012 [2]
2011 [1]
学科主题
光电子学 [4]
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Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 101, 期号: 23, 页码: 231108
Liu, Zhi
;
Hu, Weixuan
;
Li, Chong
;
Li, Yaming
;
Xue, Chunlai
;
Li, Chuanbo
;
Zuo, Yuhua
;
Cheng, Buwen
;
Wang, Qiming
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2013/10/10
Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 23, 页码: 231108
Liu Z (Liu, Zhi)
;
Hu WX (Hu, Weixuan)
;
Li C (Li, Chong)
;
Li YM (Li, Yaming)
;
Xue CL (Xue, Chunlai)
;
Li CB (Li, Chuanbo)
;
Zuo YH (Zuo, Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng, Buwen)
;
Wang QM (Wang, Qiming)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/03/20
LIGHT-EMITTING-DIODES
GE
SI
SILICON
GAIN
GAP
Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping
期刊论文
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 20, 页码: 22327-22333
Liu Z (Liu, Zhi)
;
Hu WX (Hu, Weixuan)
;
Su SJ (Su, Shaojian)
;
Li C (Li, Chong)
;
Li CB (Li, Chuanbo)
;
Xue CL (Xue, Chunlai)
;
Li YM (Li, Yaming)
;
Zuo YH (Zuo, Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng, Buwen)
;
Wang QM (Wang, Qiming)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/27
Epitaxy of Ge on offcut Si substrate for growth of In0.01Ga0.99As
期刊论文
ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 页码: 314-316
Hu, Weixuan
;
Cheng, Buwen
;
Xue, Chunlai
;
Su, Shaojian
;
Liu, Zhi
;
Li, Yaming
;
Wang, Qiming
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2012/06/13
Epitaxial growth
Germanium
Indium
Photonics
Semiconducting silicon compounds
Silicon
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