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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417 作者:  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：169/1  |  提交时间：2010/11/23 表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 4 王小军; 刘伟; 胡雄伟; 庄婉如; 王启明 收藏  |  浏览/下载：193/30  |  提交时间：2010/11/23 优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 85 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：192/85  |  提交时间：2010/11/23 InxGa（1-x）As缓冲层上InyGa（1-y）As/（Al）GaA超晶格的光伏谱研究 期刊论文 光子学报, 1996, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1089 王小军; 刘伟; 胡雄伟; 王启明; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/11/23 高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数 期刊论文 半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 170 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究 期刊论文 发光学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 190 王小军; 郑联喜; 王启明; 庄婉如; 黄美纯; 郑婉华 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23