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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2023    专题：合肥物质科学研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation study on single-event burnout in field-plated Ga2O3 MOSFETs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 卷号: 149 作者:  Yu, Cheng-hao;  Guo, Hao-min;  Liu, Yan;  Wu, Xiao-dong;  Zhang, Li-long 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2023/11/10 Depletion-mode  Single-event burnout (SEB)  Single-event gate rupture   Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga2O3 power diodes 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123 作者:  Liu, Jinyang;  Han, Zhao;  Ren, Lei;  Yang, Xiao;  Xu, Guangwei 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/11/10 Band engineering of valleytronics WSe2-MoS2 heterostructures via stacking form, magnetic moment and thickness 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32 作者:  Wu, Yanwei;  Zhang, Zongyuan;  Ma, Liang;  Liu, Tao;  Hao, Ning 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/11/10 valleytronics  thickness  stacking  magnetic moment