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科研机构
沈阳自动化研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2021 [1]
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Research on the oxygen and humidity related-electrical behavior of monolayer MoS2 under vacuum to normal pressures
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Li M(李萌)
;
Shi HY(石慧瑶)
;
Jin, Xiaoshi
;
Wang, Lu
;
Liu, Xi
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提交时间:2021/08/03
MoS2
pressure effect
electrical properties
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