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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 期号: 135, 页码: 105903 作者:  Peng, Liyuan;   Liu, Shuangtao;   Yang, Jing;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Chen, Ping;   Liu, Zongshun 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/03/24 Influences of gallium and nitrogen partial pressure on step-bunching and step-meandering morphology of InGaN quantum barrier layer 期刊论文 MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS, 2021, 卷号: 29, 页码: 102923 作者:  Peng, Liyuan;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Wang, Wenjie;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping;   Yang, Jing 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/03/23