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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ] 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)