QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种电路仿真方法及装置 专利 专利号: CN201610466018.X, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-11-16 作者:  王林飞;  罗家俊;  韩郑生;  刘海南;  陈丽坤 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/03/01 一种限制器件模型适用温度范围的方法 专利 专利号: CN201510351261.2, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2015-10-21 作者:  卜建辉;  赵博华;  罗家俊;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/01 一种SOIMOSFET器件的建模方法 专利 专利号: CN201510303560.9, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2015-09-30 作者:  卜建辉;  罗家俊;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/03/01 A Base Resistance Controlled Thyristor with N-type Buried Layer to Suppress the Snapback Phenomenon 会议论文 作者:  Hu F(胡飞);  Song LM(宋李梅);  Li B(李博);  Wang LX(王立新);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/13 A Novel Super-Junction Structure to Improve SEB Performance 会议论文 作者:  Wang L(王琳);  Song LM(宋李梅);  Wang LX(王立新);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/13 Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation 会议论文 作者:  Li DL(李多力);  Zhu HP(朱慧平);  Chen X(陈曦);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/13 Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells 会议论文 作者:  Zhentao Li;  Zheng ZS(郑中山);  Zhao K(赵凯);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/13 一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法 专利 专利号: CN201210559913.8, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2013-05-22 作者:  刘鑫;  赵发展;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/03/01 Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors 会议论文 作者:  Kuang Y(匡勇);  Bu JH(卜建辉);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Liang CP(梁春平) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文 作者:  Bu JH(卜建辉);  Li DL(李多力);  Xu GB(许高博);  Cai XW(蔡小五);  Kuang Y(匡勇) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/13