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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑

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中国环境法治四十年:法律文本、法律实施与未来走向 期刊论文
法学, 2018, 期号: 2018年11期, 页码: 17-29
作者: 郑少华; 王慧

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Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者: Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Yang H(杨红); Tang B(唐波); Xu H(徐昊)

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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑

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一种半导体激光器材料钝化方法 专利
专利号: CN108288816A, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
作者: 魏志鹏; 方铉; 唐吉龙; 贾慧民; 房丹

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鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑

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沧州湿地环颈鸻体内持久性有机污染物分布特征 会议论文
2018-06-24
作者: 郑树成; 王璞; Julius Matsiko; 孙慧中; 李英明

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一种窄线宽半导体激光器 专利
专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
作者: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹

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