|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| A Review for Compact Model of Thin-Film Transistors (TFTs) 期刊论文
Micromachines, 2018
作者: Lu ND(卢年端) ; Jiang WF(姜文峰); Wu QT(吴全潭); Geng D(耿玓); Li L(李泠)
  收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Charge Transfer within the F4TCNQ-MoS2 van der Waals Interface: Toward Electrical Properties Tuning and Gas Sensing Application 期刊论文
Advanced Functional Materials, 2018
作者: Wang JW(王嘉伟); Ji ZY(姬濯宇); Yang GH(杨冠华); Chuai XC(揣喜臣); Lu CY(陆丛研)
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 专利
专利号: CN201510226906.X, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2015-09-09
作者:
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/06 |
| Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions 期刊论文
Advanced Electron Materials, 2018
作者: Wu QT(吴全潭); Wang JW(王嘉玮); Cao JC(曹劲琛); Zhao Y(赵莹); Geng D(耿玓)
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| 石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法 专利
专利号: CN201510560088.7, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汪令飞; 王伟; 徐光伟; 李泠; 刘明
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/03/06 |
| A review for polaron dependent charge transport in organic semiconductor 期刊论文
Organic Electronics, 2018
作者: Lu ND(卢年端); Li L(李泠); Geng D(耿玓); Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Cao JC(曹劲琛); Wu QT(吴全潭); Yang GH(杨冠华); Lu ND(卢年端); Ji ZY(姬濯宇)
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| 现场可编程门阵列多版本配置的芯片及系统 专利
专利号: CN201721249436.X, 申请日期: 2018-04-20,
作者: 谢元禄; 刘明; 张坤; 呼红阳; 霍长兴
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2019/03/06 |
| 测量有机半导体状态密度的方法 专利
专利号: CN201510228253.9, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-07-15
作者: 卢年端; 李泠; 刘明
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/03/06 |
| A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2018
作者: Cao JC(曹劲琛); Peng SA(彭松昂); Wu QT(吴全潭); Li L(李泠); Geng D(耿玓)
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/04/12 |
