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| Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
作者: X.F. Liu ; G.G. Yan ; B. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 060407
作者: K. K. Meng; X. P. Zhao; P. F. Liu; Q. Liu; Y. Wu; Z. P. Li; J. K. Chen; J. Miao; X. G. Xu; J. H. Zhao; Y. Jiang
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| Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations 期刊论文
OPTICAL MATERIALS, 2018, 卷号: 85, 页码: 14-17
作者: J. Yang ; D.G. Zhao; D.S. Jiang ; S.T. Liu ; P. Chen ; J.J. Zhu ; F. Liang ; W. Liu ; M. Li
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| Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40
作者: J. Yang ; S.T. Liu ; X.W. Wang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; F. Liang ; W. Liu ; L.Q. Zhang ; H. Yang ; W.J. Wang ; M. Li
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| The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
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| Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者: S.T. Liu ; J. Yang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; F. Liang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; W. Liu ; Y. Xing ; L.Q. Zhang ; W.J. Wang ; M. Li ; Y.T. Zhang ; G.T. Du
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