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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：上海应用物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of NiSe2 by direct selenylation of a nickel surface 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 428, 页码: 623-629 作者:  Sun, HL;  Liang, ZF;  Shen, KC;  Luo, M;  Hu, JB 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/09/06 Transition-metal-dichalcogenide  Sensitized Solar-cells  Solid-state Synthesis  Hydrothermal Synthesis  Electronic-structure  Nanowire Film  Thin-films  Efficient  Electrocatalyst  Growth   Emerging Characterizing Techniques in the Fine Structure Observation of Metal Halide Perovskite Crystal 期刊论文 CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: - 作者:  Shen, KC;  Hu, JP;  Liang, ZF;  Hu, JB;  Sun, HL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/17 LONG-TERM STABILITY  CESIUM LEAD IODIDE  SOLAR-CELLS  SINGLE-CRYSTALS  CH3NH3PBI3 PEROVSKITE  EFFICIENCY  FORMAMIDINIUM  GROWTH  BR  CH(3)NH(3)PBL(3)   Fabricating Quasi-Free-Standing Graphene on a SiC(0001) Surface by Steerable Intercalation of Iron 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 122, 期号: 37, 页码: 21484-21492 作者:  Shen, KC;  Sun, HL;  Hu, JP;  Hu, HB;  Liang, ZF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/17 EPITAXIAL-GRAPHENE  ELECTRONIC-PROPERTIES  SILICON-CARBIDE  HIGH-QUALITY  GROWTH  SEMICONDUCTOR  TRANSISTORS  GRAPHITE  SINGLE  LAYERS