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科研机构
上海大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
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2017 [2]
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发表日期:2017
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p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346
作者:
Zhou, Yu[1]
;
Zhong, Yaozong[2]
;
Gao, Hongwei[3]
;
Dai, Shujun[4]
;
He, Junlei[5]
收藏
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提交时间:2019/04/24
Enhancement-mode
HEMT
p-GaN gate
self-terminated etching
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 420, 页码: 817-824
作者:
Zhong, Yaozong[1]
;
Yu Zhou[2]
;
Gao, Hongwei[3]
;
Dai, Shujun[4]
;
He, Junlei[5]
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/04/24
AlGaN/GaN
Etching self-termination
Enhancement-mode HEMT
TOF-SIMS
XPS
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