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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer 期刊论文 CrystEngComm, 2017, 卷号: 19, 页码: 4330–4337 作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Long Yan;  Pengchong Li 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/30 The property optimization of n-GaN films grown on n-SiC substrates by incorporating a SiNx interlayer 期刊论文 J Mater Sci: Mater Electron, 2017, 卷号: 28, 页码: 6008–6014 作者:  Shuang Cui;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Gaoqiang Deng;  Baozhu Li 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/11/30