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微电子研究所 [5]
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专利 [2]
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期刊论文 [1]
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2017 [5]
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发表日期:2017
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An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure
会议论文
作者:
Zheng ZS(郑中山)
;
Li BH(李彬鸿)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Huang Y(黄杨)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/20
一种环形振荡器
专利
专利号: CN201621371632.X, 申请日期: 2017-09-22,
作者:
罗家俊
;
高见头
;
李彬鸿
;
赵发展
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2018/02/07
Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission
会议论文
作者:
Han ZS(韩郑生)
;
Gao JT(高见头)
;
Li B(李博)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Li BH(李彬鸿)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/20
The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2017
作者:
Luo JJ(罗家俊)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Li BH(李彬鸿)
;
Gao JT(高见头)
;
Kuang Y(匡勇)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/05/16
一种电子元器件测试恒温系统
专利
专利号: CN201621133274.9, 申请日期: 2017-05-10,
作者:
刘征
;
赵发展
;
高见头
;
王春林
;
罗家俊
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2018/02/07
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