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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料及其在太阳能电池中的应用 专利 专利号: 201610950422.4, 申请日期: 2017-12-22, 公开日期: 2017-01-04 作者:  韩修训;  李健;  李文;  赵雲 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/03/21 一种利用溶胶凝胶法制备硫族化合物薄膜的方法 专利 专利号: 201310605709.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2015-06-03 作者:  韩修训;  刘亮;  李文;  赵雲 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2018/03/15 Small but strong: The influence of fluorine atoms on formation and performance of graphene quantum dots using a gradient F-sacrifice strategy 期刊论文 Carbon, 2017, 卷号: 112, 页码: 63-71 作者:  Gong PW(公培伟);  Wang JQ(王金清);  Hou KM(侯凯明);  Yang ZG(杨志刚);  Wang ZF(王赵峰) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/02/20 Structural, electronic and optical properties of famatinite and enargite Cu3SbS4 under pressure: A theoretical investigation 期刊论文 Physica Status Solidi (b)-basic solid state physics, 2017, 卷号: 254, 期号: 5, 页码: 1600608(1-10) 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Li JJ(李佳佳);  Zhao Y(赵雲);  Fan, Changzeng 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/07/10 band gap  Cu3SbS4  first-principles calculations  high pressure  phase stability   Theoretical investigation of structural, mechanical and electronic properties of GaAs1-xNx alloys under ambient and high pressure 期刊论文 Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 526, 页码: 1-6 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan, Changzeng;  Han XX(韩修训) 收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2017/12/18 First-principles Calculations  Gaas1-xnx Alloys  High Pressure  Dilute Nitrides  n Concentration  Band Gap   Ag2S nanoparticle-decorated MoS2 for enhanced electrocatalytic and photoelectrocatalytic activity in water splitting 期刊论文 Dalton Transactions, 2017, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 483-490 作者:  Wang M(王敏);  Ju P(鞠鹏);  Li W(李文);  Zhao Y(赵雲);  Han XX(韩修训) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/06 Enhancing Open-Circuit Voltage of Solution-Processed Cu2ZnSn(S,Se)(4) Solar Cells With Ag Substitution 期刊论文 IEEE Journal of Photovoltaics, 2017, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 874-881 作者:  Zhao Y(赵雲);  Han XX(韩修训);  Xu, Bin;  Li W(李文);  Li J(李健) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/08/28 Ag substitution  Cu2ZnSn(S,Se)(4) (CZTSSe)  open-circuit voltage  thin film solar cells   Facile Synthesis of MoS2/g-C3N4/GO Ternary Heterojunction with Enhanced Photocatalytic Activity for Water Splitting 期刊论文 ACS Sustainable Chemistry & Engineering, 2017, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 7878-7886 作者:  Ju P(鞠鹏);  Han XX(韩修训);  Hao, Zhaomin;  Han XX(韩修训);  Zhao Y(赵雲) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/11/24 Mos2  C3n4  Go  Heterojunction  Water Splitting   Direct solution coating of pure-phase Cu2SnS3 thin films without sulfurization 期刊论文 Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 3481-3486 作者:  Xu, Bin;  Zhao Y(赵雲);  Sun, Aimin;  Li, Yan;  Li W(李文) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/04/07 Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes 期刊论文 Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Han XX(韩修训) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/12/18 Gaasn  Schottky Barrier Diodes (Sbds)  Growth Orientation  C-v And G/ω-v Characteristics  Interface States