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降低二维晶体材料接触电阻的方法 专利
专利号: CN201310254601.0, 申请日期: 2017-12-22, 公开日期: 2014-12-31
作者:  贾昆鹏;  粟雅娟;  朱慧珑;  赵超
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基于CVD单层MoS2 FET的光电探测器 期刊论文
微纳电子技术, 2017
作者:  罗军;  粟雅娟;  闫祥宇;  战俊;  贾昆鹏
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用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性 期刊论文
微纳电子技术, 2017
作者:  罗军;  贾昆鹏;  粟雅娟;  战俊;  段宁远
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2018/07/09


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