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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides 期刊论文 Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402 作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Jun-Wei Luo;  Li-Ying Jiao;  Ru Huang 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/06/15