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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Novel Silicon Carbide Accumulation Channel Injection Enhanced Gate Transistor With Buried Barrier Under Shielding Region 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 7, 页码: 941-944 作者:  Zhengxin Wen;  Feng Zhang;  Member;  IEEE;  Zhanwei Shen 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/06/01