QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Light-induced new memory states in electronic resistive switching of NiO/NSTO junction 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 4 作者:  Wei, Ling[1];  Li, G.Q.[2];  Zhang, W.F.[3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 resistive switching  photocurrent  electronic effect  interfacial barrier  depletion width