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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties and band bending of ingaas/gaasbi/ingaas type-ii quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of applied physics, 2016, 卷号: 120, 期号: 10, 页码: 6 作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Li, Yaoyao;  Chen, Xiren 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/09 Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantum well probed by photoluminescence 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2016, 卷号: 169, 页码: 132-136 作者:  Zhu, Liang[1];  Song, Yuxin[2];  Qi, Zhen[3];  Wang, Shumin[4];  Zhu, Liangqing[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/26 Quantum well  Strong localization  Photoluminescence  Auger recombination