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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of the behaviour of electronic resistive switching memory based on MoSe2-doped ultralong Se microwires 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 14 作者:  Zhou, Guangdong;  Sun, Bai;  Yao, Yanqing;  Zhang, Huihui;  Zhou, Ankun 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/02/14