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科研机构
上海大学 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2016 [9]
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发表日期:2016
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Nitrogen anion doping as a strategy to suppress negative gate-bias illumination instability of ZnSnO thin film transistor
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108
作者:
Li, Jun[1]
;
Fu, Yi-Zhou[2]
;
Huang, Chuan-Xin[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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提交时间:2019/04/26
Characterization of dual-target co-sputtered novel Hf-doped ZnSnO semiconductors and the enhanced stability of its associated thin film transistors
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681, 页码: 81-87
作者:
Huang, Chuan-Xin[1]
;
Li, Jun[2]
;
Fu, Yi-Zhou[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/26
HfZnSnO thin film
Thin film transistors
Dual-target magnetron co-sputtering
Effect of oxygen partial pressure on the density of states of amorphous InGaZnO thin-film transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122
作者:
Li, Jun[1]
;
Huang, Chuan-Xin[2]
;
Zhu, Wen-Qing[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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提交时间:2019/04/26
Improved Negative Bias Illumination Stability and Thermal Stability of HfZnSnO/ZnSnO Thin-Film Transistor Using Double-Channel Structure by Cosputtering
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 页码: 4320-4325
作者:
Huang, Chuan-Xin[1]
;
Li, Jun[2]
;
Zhao, Cheng-Yu[3]
;
Fu, Yi-Zhou[4]
;
Zhang, Jian-Hua[5]
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提交时间:2019/04/26
Density of states (DOS)
double-channel structure
Hf doping
negative bias illumination stress (NBIS) stability
temperature stress (TS) stability
thin-film transistors (TFTs)
Suppression in the Negative Bias Illumination Instability of ZnSnO Thin-Film Transistors Using Hafnium Doping by Dual-Target Magnetron Cosputtering System
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 页码: 3552-3557
作者:
Huang, Chuan-Xin[1]
;
Li, Jun[2]
;
Fu, Yi-Zhou[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/26
Hf doping
negative bias illumination stress(NBIS) stability
oxygen vacancy
thin film transistors
trap density
Coexistence of Superconductivity and Ferromagnetism in Ni-Doped Bi4-xNixO4S3 (0.075 a parts per thousand currency signxa parts per thousand currency sign 0.150)
期刊论文
JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM, 2016, 卷号: 29, 页码: 879-884
作者:
Yin, Xunqing[1]
;
Feng, Zhenjie[2]
;
Yu, Chuan[3]
;
Li, Qing[4]
;
Cao, Yiming[5]
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提交时间:2019/04/26
Ni doping
Bi4O4S3
Superconductivity
Ferromagnetism
Magnetic ions
Mn-doping induced ferromagnetism and enhanced superconductivity in Bi4-xMnxO4S3 (0.075 <= x <= 0.15)
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2016, 卷号: 94
作者:
Feng, Zhenjie[1]
;
Yin, Xunqing[2]
;
Cao, Yiming[3]
;
Peng, Xianglian[4]
;
Gao, Tian[5]
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提交时间:2019/04/26
Co-doping induced coexistence of superconductivity and ferromagnetism in Bi3.9Co0.1O4S3
期刊论文
PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2016, 卷号: 528, 页码: 23-26
作者:
Yu, Chuan[1]
;
Feng, Zhenjie[2]
;
Yin, Xunqing[3]
;
Li, Qing[4]
;
Kang, Baojuan[5]
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提交时间:2019/04/26
Doping
Resistivity
Superconductivity and ferromagnetism
Amorphous LaZnSnO Thin Films by a Combustion Solution Process and Application in Thin Film Transistors
期刊论文
ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 12, 页码: 76-81
作者:
Li, Jun[1]
;
Huang, Chuan-Xin[2]
;
Fu, Yi-Zhou[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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提交时间:2019/04/26
solution process
oxide semiconductor
thin film transistor
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