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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation 期刊论文 Chinese Physics B, 2016 作者:  Xu H(徐昊);  Yang H(杨红);  Wang YR(王艳蓉);  Luo WC(罗维春);  Qi LW(祁路伟) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09 Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2016 作者:  Luo WC(罗维春);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/05/09