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| 提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 专利
专利号: CN201210112494.3, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-10-30
作者: 崔虎山; 李俊峰 ; 侯瑞兵; 赵超; 杨涛
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| Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation 期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者: Xu H(徐昊); Yang H(杨红); Wang YR(王艳蓉); Luo WC(罗维春); Qi LW(祁路伟)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-K metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations 期刊论文
Chinese Physics B, 2016
作者: Xu H(徐昊); Yang H(杨红); Luo WC(罗维春); Wang YR(王艳蓉); Tang B(唐波)
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| Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文
Microelectronics Engineering, 2016
作者: Wang GL(王桂磊); Qin ZL(秦长亮); Yin HX(殷华湘); Duan NY(段宁远); Yang T(杨涛)
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| 多晶硅假栅移除后的监控方法 专利
专利号: CN201110165279.5, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2012-12-26
作者: 赵超; 陈大鹏; 杨涛; 闫江; 李俊峰
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| 一种研磨垫清洗方法和装置 专利
专利号: CN201110066718.7, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2012-09-19
作者: 赵超; 杨涛; 李俊峰
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| Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文
ECS Transactions, 2016
作者: Yin HX(殷华湘); Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Qin ZL(秦长亮); Cui HS(崔虎山)
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| Junction Control by Carbon and Phosphorus Co-Implantation in Pre-Amorphized Germanium 期刊论文
ECS Journal of Solid state science and tehchnology, 2016
作者: Liu JB(刘金彪); Luo J(罗军); Eddy Simoen; Yang F(杨芳); Wang GL(王桂磊)
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