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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influences of Remote Coulomb and Interface-Roughness Scatterings on Electron Mobility of InGaAs nMOSFET with High-k Stacked Gate Dielectric 期刊论文 IEEE Transactions on Nanotechnology, 2015, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 854-861 作者:  Wang, Li-Sheng*;  Xu, Jing-Ping;  Liu, Lu;  Huang, Yuan;  Lu, Han-Han 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/04 InGaAs MOSFETs  effective electron mobility  high-k dielectric  remote Coulomb scattering  remote interface-roughness scattering   Plasma-Nitrided Ga2O3(Gd2O3) as Interfacial Passivation Layer for InGaAs Metal–Oxide– Semiconductor Capacitor With HfTiON Gate Dielectric 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 4, 页码: 1235-1240 作者:  Wang, Li-Sheng*;  Xu, Jing-Ping;  Liu, Lu;  Lu, Han-Han;  Lai, Pui-To 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/04 HfTiON gate-dielectric  InGaAs metal-oxide-semiconductor (MOS)  interface-state  nitrided Ga2O3(Gd2O3) (GGON) interlayer  plasma-nitridation