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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influencing factors of GaN growth uniformity through orthogonal test analysis 期刊论文 Applied Thermal Engineering, 2015, 卷号: 91, 页码: 53-61 作者:  Zhang, Zhi;  Fang, Haisheng*;  Yan, Han;  Jiang, Zhimin;  Zheng, Jiang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/04 Gallium nitride  MOCVD  Growth uniformity  Process parameters   A novel MOCVD reactor for growth of high-quality GaN-related LED layers 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2015, 卷号: 415, 页码: 72-77 作者:  Hu, Shaolin;  Liu, Sheng;  Zhang, Zhi;  Yan, Han;  Gan, Zhiyin* 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/04 A1. Nanostructures  A1. Nucleation  A3. Metalorganic chemical vapor deposition  B1. Gallium nitride  B3. Light emitting diodes   Reducing thermal contact resistance using thermocompression method to bond vertically aligned carbon nanotubes in magnetic field 期刊论文 Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers, Part N: Journal of Nanoengineering and Nanosystems, 2015, 卷号: 229, 期号: 3, 页码: 117-120 作者:  Lv, Qiang;  Hu, Xizheng;  Chen, Xiqu;  Gan, Zhiyin 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/27 Thermal interface materials  Thermal resistance  Vertically aligned carbon nanotubes