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| An SEE Prognostic Cell Embedded Rad-hard Digital Controller for Next Generation DC-DC Converter in Space 会议论文
作者: Li B(李博) ; Luo JJ(罗家俊); Bi JS(毕津顺); Han ZS(韩郑生); xuefang
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/06/15 |
| CMOS 电路中的单粒子瞬变效应综述 会议论文
作者: 郝乐; 李博; 毕津顺; 宿晓慧; 罗家俊
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/06/15 |
| The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文
作者: Wang Y(王艳); Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Lv HB(吕杭炳); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/06/14 |
| 基于Geant4 的三维半导体器件单粒子效应仿真 期刊论文
半导体技术, 2015
作者: 韩郑生; 罗家俊; 毕津顺; 国硕
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/27 |
| 温控可充气真空辐射设备 专利
专利号: CN201110252532.0, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2012-02-01
作者: 刘刚; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生; 曾传滨
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/04/07 |
| 0.2 μm FDSOI NMOSFET的背栅效应及总剂量辐射响 会议论文
作者: 赵星; 毕津顺; 郑中山; 赵凯; 于芳
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/06/15 |
| 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法 专利
专利号: CN201110418276.8, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2012-06-27
作者: 叶甜春; 吕荫学; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/10/25 |
| 存储单元测试电路及其测试方法 专利
专利号: CN201110208077.4, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2013-01-30
作者: 韩郑生; 王一奇; 赵发展; 刘梦新; 毕津顺
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/04/08 |
| SOI H栅MOS器件的建模方法 专利
专利号: CN201210536882.4, 申请日期: 2015-05-27, 公开日期: 2013-03-20
作者: 卜建辉; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/09/13 |
| 0.18 um部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究 期刊论文
物理学报, 2015
作者: 赵星; 梅博; 毕津顺
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/05/26 |
