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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015    内容类型：期刊论文    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature-Dependent Fluorescence Properties and Diode-Pumped Deep Red Laser Performance of Pr:LiGdF_4 Crystal 期刊论文 Chinese Physics Letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 89-93 作者:  Zhang YX(张玉霞);  Wang SX(王树贤);  Alberto Di Lieto;  Yu GL(于果蕾);  Yu HH(于浩海) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 of  it  as  Pr  on  Temperature-Dependent Fluorescence Properties and Diode-Pumped Deep Red Laser Performance of Pr:LiGdF_4 Crystal  in  nm  is  for   Raman gains of ADP and KDP crystals 期刊论文 Chinese Physics B, 2015, 期号: 04, 页码: 231-234 作者:  Zhou HL(周海亮);  Zhang QH(张清华);  Wang B(王波);  Xu XG(许心光);  Wang ZP(王正平) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 ADP  KDP  stimulated Raman scattering  gain coefficient   Wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 期号: 02, 页码: 110-114 作者:  Zuo ZY(左致远);  Xia W(夏伟);  Wang G(王钢);  Xu XG(徐现刚) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17 pyramidally patterned reflector  light emitting diodes  wafer-bonding  light extraction efficiency   Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 期号: 01, 页码: 109-111 作者:  Zhu Z(朱振);  Zhang X(张新);  Li PX(李沛旭);  Wang G(王钢);  Xu XG(徐现刚) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 MOCVD  GaInAsP layer  heterojunction  voltage reduction