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北京大学 [2]
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其他 [2]
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2015 [2]
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发表日期:2015
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Influence of quantum confinement effects over device performance in circular and elliptical silicon nanowire transistors
其他
2015-01-01
Georgiev, V. P.
;
Ali, T.
;
Wang, Y.
;
Gerrer, L.
;
Amoroso, S. M.
;
Asenov, Asen
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提交时间:2017/12/03
nanowires
simulations
quantum effects
scalling of tranistors
CMOS devices
Correlation between Gate Length, Geometry and Electrostatic Driven Performance in Ultra-Scaled Silicon Nanowire Transistors
其他
2015-01-01
Al-Ameri, Talib
;
Wang, Y.
;
Georgiev, V. P.
;
Adamu-Lema, F.
;
Wang, X.
;
Asenov, A.
收藏
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提交时间:2017/12/03
CMOS
electrostatics
nanowire transistors
performance
quantum effects
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