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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：武汉理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tunable electrical properties in high-valent transition-metal-doped ZnO thin-film transistors 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2014, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 759-761 作者:  Xu, Lei;  Li, Zhe;  Liu, Xingqiang;  Wang, Jingli;  Xiao, Xiangheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/04 ZnO  thin film transistor  transition-metal  threshold voltage  stability.