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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of oxidation process in self-terminating gate recess wet etching technique for AlGaN/GaN normally-off MOSFETs (EI收录) 期刊论文 Electronics Letters, 2014, 卷号: 50, 页码: 1980-1982 作者:  Liu, Jingqian[1];  Wang, Jinyan[1];  Xu, Zhe[1];  Jiang, Haisang[1];  Yang, Zhenchuan[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/25 Aluminum  Aluminum gallium nitride  Field effect transistors  Gallium nitride  MOS devices  MOSFET devices  Oxidation  Oxidation resistance  Potassium hydroxide  X ray photoelectron spectroscopy