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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of bandgap engineering on the performance and reliability of a high-k based nanoscale charge trap flash memory 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 45, 期号: 6 Zhu, CX; Xu, ZG; Huo, ZL; Zheng, ZW; Cui, YX; Wang, YM; Liu, J; Li, FH; Liu, M 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 LAYER   Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2012, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 3932 Wang, HN; Ji, ZW; Qu, S; Wang, G; Jiang, YZ; Liu, BL; Xu, XG; Mino, H 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  DISORDERED SEMICONDUCTORS  SHIFT  LUMINESCENCE  ABSORPTION  SIMULATION  EMISSION  DENSITY   Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012, 卷号: 209, 期号: 10, 页码: 2041 Huang, SL; Ji, ZW; Zhao, MW; Zhang, L; Guo, HY; Liu, BL; Xu, XG; Guo, QX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  HOT-WALL EPITAXY  ZINC TELLURIDE  SURFACE-MORPHOLOGY  PHOTOLUMINESCENCE  STRAIN  LAYERS  LUMINESCENCE  ACCEPTOR  DEFECTS