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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种判断GaN基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法 专利 专利号: 200810033719.X, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  陆卫 李为军 张波 李天信 陈平平 李宁 李志峰 陈效双 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/07/07