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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2011    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-temperature physical vapor-phase depositing device for polycrystalline silicon membrane, has working gas hydrogen inlet and working gas argon inlet that are provided at upper surface of main vacuum chamber. 专利 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-04-06 作者:  DONG C EIJI T FAN P SU Y SUN Q XU J 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18