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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
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Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101
Lin DF (Lin D. F.)
;
Wang XL (Wang X. L.)
;
Xiao HL (Xiao H. L.)
;
Wang CM (Wang C. M.)
;
Qiang LJ (Qiang L. J.)
;
Feng C (Feng C.)
;
Chen H (Chen H.)
;
Hou QF (Hou Q. F.)
;
Deng QW (Deng Q. W.)
;
Bi Y (Bi Y.)
;
Kang H (Kang H.)
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提交时间:2012/02/21
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