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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: - Chen, YH; Li, C; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 GERMANIUM  GE  RECOMBINATION  SI(100)  LAYERS  SI   Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 115207 Chen, YH; Li, C; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/05/10 Nanoscience & Nanotechnology  Materials Science  Physics  Multidisciplinary  Applied