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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2010
学科主题:半导体材料
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Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
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Wei XC (Wei X. C.)
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Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
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提交时间:2010/06/18
atomic force microscopy
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