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科研机构
上海微系统与信息技... [64]
内容类型
期刊论文 [63]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [64]
学科主题
Physics, A... [6]
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共64条,第1-10条
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发表日期:2008
专题:上海微系统与信息技术研究所
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95
100
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基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03
徐成
;
刘波
;
冯高明
;
吴良才
;
宋志棠
;
封松林
;
Bomy Chen
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/01/06
MiWAVE
唐家山
实时监控
Polycrystalline Si-rich SiSbx bottom heating layer for phase change memory
期刊论文
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: H147-H149
Rao, F
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Gong, YF
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
THERMAL-CONDUCTIVITY
SILICON
A Novel Method of Fabricating 3D Spot-size Converter on (111) SOI
期刊论文
2008 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS, 2008, 期号: 0, 页码: 79-80
Fang,N
;
Yang,ZF
;
Wu,AM
;
Chen,J
;
Zhang,M
;
Zou,SC
;
Wang,X
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON
Reactive-ion etching of Sn-doped Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for non-volatile phase-change memory device
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 21, 页码: 7871-7874
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
OXYGEN
TRANSITION
Oxidant addition effect on Ge2Sb2Te5 phase change film chemical mechanical polishing
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 11, 页码: H929-H931
Zhong, M
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
CHANGE MEMORY
Self-assembly of II-IV compound nanocrystals on Si wafer at room temperature
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2008, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 176-179
Zhao, WM
;
Gan, XH
;
Dai, M
;
Xu, L
;
Sun, P
;
Li, W
;
Ma, Y
;
Ma, ZY
;
Wu, LC
;
Xu, J
;
Chen, KJ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
Comparison of the crystallization of Ge-Sb-Te and Si-Sb-Te in a constant-temperature annealing process
期刊论文
SCRIPTA MATERIALIA, 2008, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 977-980
Zhang, T
;
Cheng, Y
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Han, XD
;
Zhang, Z
;
Chen, B
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
RANDOM-ACCESS MEMORY
PHASE-CHANGE
GE2SB2TE5 FILMS
DATA-STORAGE
THIN-FILMS
GROWTH
TRANSITION
SI2SB2TE5
Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201
Shen, J
;
Liu, B
;
Song, Z
;
Xu, C
;
Rao, F
;
Liang, S
;
Feng, S
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
CHANGE OPTICAL DISK
PHASE-CHANGE MEMORY
GE2SB2TE5 FILM
HIGH-DENSITY
DEVICE
Reactive ion etching as cleaning method post chemical mechanical polishing for phase change memory device
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 762-764
Zhong, M
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
CELL-ELEMENT
BEAM METHOD
Fabrication of thin-film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2008, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: L45-L47
Wei, X
;
Wu, AM
;
Chen, M
;
Chen, J
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Lin, CL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
BURIED-OXIDE
THERMAL-OXIDATION
WAFERS
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