QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation reduction mechanisms in gallium nitride films grown by canti-bridge epitaxy method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2353 Xing, ZG; Wang, J; Pei, XJ; Wan, W; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 White light-emitting diodes based on a single InGaN emission layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 16 Wang, XH; Jia, HQ; Guo, LW; Xing, ZG; Wang, Y; Pei, XJ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/23 Investigation on photoluminescence blue shift of InGaN/GaN quantum wells induced by surface band bending 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 7A, 页码: 4079 Wang, Y; Pei, XJ; Xing, ZG; Guo, LW; Jia, HQ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/18 Characteristics of the improved a-plane GaN films grown on r-plane sapphire with two-step A1N buffer layer 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 307, 期号: 1, 页码: 35 Yan, JF; Guo, LW; Zhang, J; Zhu, XL; Ding, GJ; Xing, ZG; Zhou, ZT; Pei, XJ; Wang, Y; Jia, HQ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 Anomalous tunneling effect on photoluminescence of asymmetric coupled double InGaN/GaN quantum wells 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 6 Wang, Y; Pei, XJ; Xing, ZG; Guo, LW; Jia, HQ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/09/17 Effects of barrier growth temperature ramp-up time on the photoluminescence of InGaN/GaN quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 卷号: 101, 期号: 3 Wang, Y; Pei, XJ; Xing, ZG; Guo, LW; Jia, HQ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  STRUCTURE LASER-DIODES  EXCITON LOCALIZATION  ROOM-TEMPERATURE  LAYER  DOTS  GAN  EMISSION  SHIFT  HETEROSTRUCTURES