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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (110) quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 301, 页码: 93 Liu, LS; Wang, WX; Li, ZH; Liu, BL; Zhao, HM; Wang, J; Gao, HC; Jiang, ZW; Liu, S; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 301, 页码: 181 Li, ZH; Wang, WX; Liu, LS; Gao, HC; Jiang, ZW; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 As-soak dependence of interface roughness of AlSb/InAs superlattice 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1785 Li, ZH; Wang, WX; Liu, LS; Jiang, ZW; Gao, HC; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 Electron density dependence of in-plane spin relaxation anisotropy in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 90, 期号: 11 Liu, BL; Zhao, HM; Wang, J; Liu, LS; Wang, WX; Chen, DM; Zhu, HJ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 Optimization of GaAs (110) quantum well material growth technology by reflection high energy electron diffraction 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 卷号: 56, 期号: 6, 页码: 3355 Liu, LS; Wang, WX; Zhao, HM; Liu, BL; Jiang, ZW; Wang, J; Huang, QA; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/24 The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 406 Gao, HC; Wang, WX; Jiang, ZW; Liu, LS; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/23