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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2007    学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792 Zhang, T; Song, ZT; Feng, GM; Liu, B; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  PHASE  CRYSTALLIZATION  ALLOYS  DEVICE   Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1103-1105 Wu, LC; Song, ZT; Liu, B; Rao, F; Xu, C; Zhang, T; Yin, WJ; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN OXIDE-FILMS  GE2SB2TE5 FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  NEGATIVE RESISTANCE  NIO FILMS   Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR